IPD60N10S4L12ATMA1, Полевой транзистор
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD60N10S4L12ATMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0098ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
35,81 руб.
Внешние склады
-
201+ 291+ 583+ 2906+43,73 ₽ 37,71 ₽ 36,76 ₽ 35,81 ₽Срок:25 днейНаличие:5 000Минимум:Мин: 201Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание IPD60N10S4L12ATMA1
Полевой транзистор
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPD60N10S4L12ATMA1 , Полевой транзистор
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 324 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1627 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 765 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 476 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара