8 800 1000 321 - контакт центр
  • IPD80R1K4CE

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А

Документация

DataSheet
Код товара: 203402
Дата обновления: 18.12.2018 22:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 10 000 шт: 48.003 руб.
от 2 500 шт: 48.875 руб.
45 000 шт.28 раб. дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
DPAK/TO252
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Напряжение исток-сток макс.
800 В
Ток стока макс.
3.9 А
Сопротивление открытого канала
1.4 Ом
Мощность макс.
63 Вт
Особенности
Стандартный
Пороговое напряжение включения макс.
3.9 В
Заряд затвора
23 нКл
Входная емкость
570 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
45000 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке