IPP65R150CFD, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22.4 А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPP65R150CFD
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
500 шт
Корпус:
TO-220-3
Цена от:
362,52 руб.
Нет в наличии
Описание IPP65R150CFD
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | CoolMOS CFD2 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Ширина | 4.4 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 22.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 135 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Qg - заряд затвора | 86 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 195.3 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 7.6 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 5.6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 52.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.4 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPP65R150CFD , Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22.4 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара