IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF1010ZSTRLPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2PAK/TO263
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка800 шт
-
Вес брутто1.2 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF1010ZSTRLPBF
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Continuous Drain Current | 94 A |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Width | 11.3mm |
| Forward Transconductance | 33s |
| Height | 4.83mm |
| Dimensions | 10.67 x 11.3 x 4.83mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 10.67mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Turn-On Delay Time | 18 ns |
| Brand | Infineon |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Pin Count | 3 |
| Category | Power MOSFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Typical Input Capacitance @ Vds | 2840 pF @ 25 V |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вес, г | 2.5 |
Полные аналоги
-
IRF1010ZSPBF MOSFET N-CH 55V 75A D2PAKINFD2PAK/TO263
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара