IRF7303TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
Наименование:
IRF7303TRPBF
Описание Eng:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
4000 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
4.9 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
36,64 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 130+ 259+ 517+ 1033+47,08 ₽ 43,29 ₽ 40,35 ₽ 38,38 ₽ 36,64 ₽Срок:В наличииНаличие:19 184Минимум:7Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 130+ 259+ 517+ 1033+47,08 ₽ 43,29 ₽ 40,35 ₽ 38,38 ₽ 36,64 ₽Срок:В наличииНаличие:83Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
31+ 146+ 293+ 585+ 3478+42,64 ₽ 40,61 ₽ 39,94 ₽ 37,57 ₽ 36,89 ₽Срок:7 днейНаличие:3 478Минимум:Мин: 31Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Показать аналоги
Технические параметры
Описание IRF7303TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4.9 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 6.8 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 80 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 520 pF @ 25 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полезная информация
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Аналоги и возможные замены
Наличие:
7 044 шт
Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6,34₽
Акция
IRF7303PBF Полный аналог
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.05 Ом
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRF7303TRPBF , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара