IRF7303TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7303TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7303TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.3 А
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 4.9 A |
Тип корпуса | SOIC |
Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 4мм |
Высота | 1.5мм |
Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
Материал транзистора | Кремний |
Количество элементов на ИС | 2 |
Длина | 5мм |
Transistor Configuration | Изолированный |
Типичное время задержки включения | 6.8 ns |
Производитель | Infineon |
Типичное время задержки выключения | 22 ns |
Серия | HEXFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 80 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
Число контактов | 8 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 25 нКл при 10 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 520 pF @ 25 V |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF7303PBF MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC TubeINFSO-8
Функциональные аналоги
-
AO4812 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V 6.9A 28mOhmНаличие:11733 штМинимум:штЦена от:14,40 ₽HottechSOP8
Сообщите мне о поступлении товара