IRF7905TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 30 в, 7.8 а/8.9 а
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.8 А/8.9 А
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 7.8 А/8.9 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7905TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOIC8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.14 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7905TRPBF
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 7,8 А, 8,9 А |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Прямая активная межэлектродная проводимость | 15с |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5 |
| Типичное время задержки включения | 5,2 нс, 6,2 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 6,9 нс, 8,1 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.25V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.35 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 21,3 мОм, 29,3 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 4,6 нКл при 4,5 В, 6,9 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 600 пФ при 15 В, 910 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Прямое напряжение диода | 1V |
| Вес, г | 0.15 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара