8 800 1000 321 - контакт центр

IRF8513PBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А/11 А

  • IRF8513PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
International Rectifier

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А/11 А

Документация

DataSheet
Код товара: 203887
Дата обновления: 19.12.2018 14:00
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 87 шт: 26.748 руб.
100 шт.7 раб. дн.1 шт.87 шт.
от 17 шт: 28.134 руб.
100 шт.7 раб. дн.1 шт.17 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.2 г
Тип транзистора
2N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Маскимальный ток стока
8 А, 11 А
Сопротивление открытого канала
15.5 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
2.35 В
Максимальная рассеиваемая мощность
1.5 Вт, 2.4 Вт
Заряд затвора
8.6 нКл
Входная емкость
766 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
200 шт.

Подробное описание

Характеристики

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11/8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм22.2/16.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.4
Крутизна характеристики, S19/24
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.35

Поделиться:
сообщение об ошибке