8 800 1000 321 - контакт центр

IRF8513PBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А/11 А

  • IRF8513PBF

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Infineon Technologies

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 8 А/11 А

Документация

DataSheet
Код товара: 203887
Цена и наличие товара актуальны на:
19.06.2019 17:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 26 шт: 33.194 руб.
от 13 шт: 33.756 руб.
100 шт.7 раб. дн.1 шт.13 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-SOIC(8-SO)
Нормоупаковка
95 шт.
Тип упаковки
Tube (туба)
Вес нетто
0.2 г
Тип транзистора
2N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Маскимальный ток стока
8 А, 11 А
Максимальная рассеиваемая мощность
1.5 Вт, 2.4 Вт

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
100 шт.

Подробное описание

Характеристики

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11/8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм22.2/16.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.4
Крутизна характеристики, S19/24
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.35

Поделиться:
сообщение об ошибке