IRF9358TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 9.2 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 9.2 А
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 9.2 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF9358TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.23 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF9358TRPBF
The IRF9358TRPBF is a dual P-channel MOSFET designed for charge and discharge switch for notebook PC battery applications.
• Multi-vendor compatibility
• Halogen-free
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9,2 A |
| Тип корпуса | SOIC |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 4мм |
| Высота | 1.5мм |
| Размеры | 5 x 4 x 1.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 5мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 5.7 ns |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 146 нс |
| Серия | HEXFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 23,8 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 8 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 19 nC @ 4.5 V, 38 nC @ 15 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1740 pF @ -25 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRF9358PBF MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOICINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара