IRFB9N65APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFB9N65APBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB, 167W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
50 шт
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
930 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Цена от:
171,17 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 8+ 16+ 31+ 50+277,69 ₽ 258,54 ₽ 243,34 ₽ 230,95 ₽ 221,74 ₽Срок:В наличииНаличие:134Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
5+ 20+ 39+300,57 ₽ 286,25 ₽ 281,48 ₽Срок:7 днейНаличие:40Минимум:Мин: 5Количество в заказ
-
43+ 63+ 125+203,62 ₽ 175,59 ₽ 171,17 ₽Срок:25 днейНаличие:550Минимум:Мин: 43Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IRFB9N65APBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.93 ом при 5.1a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 167 |
| Крутизна характеристики, S | 3.9 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRFB9N65APBF , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 654 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 366 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 219 ₽
от 1 раб. дня
от 208 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара