IRFBE20PBF, Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A
Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A
Производитель:
Vishay
Артикул:
IRFBE20PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220AB
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.68 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFBE20PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5 ом при 1.1a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 54 |
| Крутизна характеристики, S | 0.8 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара