J112, Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Цена от:
16,30 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание J112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
| Ток утечки (Idss), мА | 5(min) |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…5 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-92 |
| Вес, г | 0.3 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка J112 , Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара