J113, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
JFET N-CH 35V 625mW TO92
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
J113
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO92-3
-
Тип упаковкиBulk (россыпь)
-
Нормоупаковка1000 шт
-
Вес брутто0.21 г.
-
Напряжение Сток-Исток Макс
-
Проводимость (N/P)
-
Напряжение отсечки (при токе)
-
Мощность Макс.
Описание J113
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 35 |
| Ток утечки (Idss), мА | 2(min) |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 0.5…3 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 100(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.625 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-92 |
| Вес, г | 0.3 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара