LQW18AN8N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

8.2nH 650mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 8.2nH 0.5nH 100MHz 35Q-Factor Ceramic 650mA 110mOhm DCR 0603 T
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току
Код товара: 213648
Дата обновления: 18.05.2021 22:10
Цена от: 2,52 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка LQW18AN8N2D00D, Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    0603
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    4000 шт.
  • Вес брутто
    0.05 г.
  • Индуктивность
  • Допуск
  • Максимальный ток
  • Номинальная частота

Описание LQW18AN8N2D00D

Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току