MBR130LSFT1G, Диод Шоттки 30В 1А
Цена от:
5,19 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 153+ 305+ 610+ 1220+12,04 ₽ 10,51 ₽ 9,30 ₽ 8,29 ₽ 7,52 ₽Срок:В наличииНаличие:3 554Минимум:25Количество в заказ
Внешние склады
-
1426+ 2088+ 4137+6,17 ₽ 5,32 ₽ 5,19 ₽Срок:25 днейНаличие:15 000Минимум:Мин: 1 426Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MBR130LSFT1G
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 380 мВ при 1 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 1 мА при 30 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+125 C |
| Корпус | SOD-123FL |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MBR130LSFT1G , Диод Шоттки 30В 1А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара