MJ802G, Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 30 А, 200W
NPN 90V 30A
Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 30 А, 200W
Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 30 А, 200W
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MJ802G
Документы:
Описание MJ802G
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Структура | npn |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 90 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 25 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
Корпус | то-3 |
Вес, г | 18 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара