MJD44H11T4G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А

Код товара: 219173

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD44H11T4G
Производитель:
Описание Eng:
NPN 80V 8A DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
80 В
Ток коллектора Макс.:
8 А
Мощность Макс.:
1.75 Вт
Коэффициент усиления hFE:
40
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение КЭ Макс.

80 В

Ток коллектора Макс.

8 А

Мощность Макс.

1.75 Вт

Коэффициент усиления hFE

40

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

85 МГц

Вес брутто

0.45 г.

Описание MJD44H11T4G

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD44H11T4 Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А, 20 Вт Производитель: ST Microelectronics
Наличие:
2 600 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 26,79
Акция
MJD44H11G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
86 шт
Цена от:
от 183,80
MJD44H11TM Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor
MJD44H11RLG Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD44H11T4G , Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 8 А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 288
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.