MJD45H11T4G, биполярный транзистор, pnp, 80 в, 8 а, 20вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Trans GP BJT PNP 80V 8A

Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт
Код товара: 219178
Дата обновления: 10.05.2024 08:10
Доставка MJD45H11T4G , Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, 20Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    2500 шт
  • Вес брутто
    0.47 г.
  • Тип транзистора
    PNP
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс
    80V
  • Ток коллектора Макс.
    8A
  • Мощность Макс.
  • Коэффициент усиления hFE
    40
  • Тип монтажа

Описание MJD45H11T4G

The MJD45H11T4G is a 8A PNP bipolar Power Transistor designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

• Electrically similar to popular D44H/D45H series
• Fast switching speeds
• Complementary pairs simplifies designs
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable

Структураpnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1.75
Корпусdpak(to-252)
Вес, г0.4

Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец