MJD50G, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А

Код товара: 219184

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD50G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN 400V 1A DPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
75 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение КЭ Макс.

400 В

Ток коллектора Макс.

1 А

Мощность Макс.

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE

30

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

10 МГц

Корпус

DPAK-3

Описание MJD50G

Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция
MJD50T4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
5 900 шт
Цена от:
от 30,23
MJD50TF Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD50G , Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 151
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.