MJD50G, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А

Код товара: 219184

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD50G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS NPN 400V 1A DPAK
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
75 шт
Корпус:
DPAK-3
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение КЭ Макс.

400 В

Ток коллектора Макс.

1 А

Мощность Макс.

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE

30

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

10 МГц

Корпус

DPAK-3

Описание MJD50G

Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

Акция
MJD50T4G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
2 500 шт
Цена от:
от 25,98
MJD50TF Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Калининград

Доставка MJD50G , Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 346
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 17 раб. дней
от 720
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.