MJD50T4G, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт

Код товара: 219185

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MJD50T4G
Производитель:
Описание Eng:
Trans GP BJT NPN 400V 1A
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Тип транзистора:
NPN
Напряжение КЭ Макс.:
400 В
Ток коллектора Макс.:
1 А
Мощность Макс.:
1.56 Вт
Коэффициент усиления hFE:
30
Показать аналоги

Технические параметры

Тип транзистора

NPN

Напряжение КЭ Макс.

400 В

Ток коллектора Макс.

1 А

Мощность Макс.

1.56 Вт

Коэффициент усиления hFE

30

Тип монтажа

Поверхностный

Граничная частота

10 МГц

Корпус

DPAK/TO-252AA

Вес брутто

0.8 г.

Описание MJD50T4G

Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

MJD50G Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor
MJD50TF Полный аналог Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка MJD50T4G , Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 15 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.