MMBFJ112, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
JFET N-CH 35V 350mW SOT-23
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MMBFJ112
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.03 г.
-
Напряжение Сток-Исток Макс
-
Проводимость (N/P)
-
Напряжение отсечки (при токе)
-
Мощность Макс.
Описание MMBFJ112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 28пФ |
| Запирающий ток сток-исток Idss | min. 5mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 28пФ |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.3 |
| Высота | 0.93мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 50 Ом |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 35V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.3 x 0.93мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | 35 В |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара