MMBFJ112, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Цена от:
9,39 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 205+ 409+ 818+ 1636+15,29 ₽ 13,48 ₽ 12,14 ₽ 11,07 ₽ 10,16 ₽Срок:В наличииНаличие:7 097Минимум:20Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 205+ 409+ 818+ 1636+15,29 ₽ 13,48 ₽ 12,14 ₽ 11,07 ₽ 10,16 ₽Срок:В наличииНаличие:18Минимум:4Количество в заказ
Внешние склады
-
758+ 1099+ 2198+ 10999+11,46 ₽ 9,88 ₽ 9,64 ₽ 9,39 ₽Срок:25 днейНаличие:26 095Минимум:Мин: 758Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MMBFJ112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 28пФ |
| Запирающий ток сток-исток Idss | min. 5mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 28пФ |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.3 |
| Высота | 0.93мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 50 Ом |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 35V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.3 x 0.93мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | 35 В |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MMBFJ112 , Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 236 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2098 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара