MMBFJ176, Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
MMBFJ176
Производитель:
Описание Eng:
JFET P-CH 30V 225mW SOT23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
3000 шт
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Проводимость (N/P):
P-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
225 мВт
Цена от:
16,68 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 53+ 106+ 211+ 421+34,80 ₽ 31,39 ₽ 28,69 ₽ 26,47 ₽ 24,79 ₽Срок:В наличииНаличие:96Минимум:9Количество в заказ
-
1+ 53+ 106+ 211+ 421+34,80 ₽ 31,39 ₽ 28,69 ₽ 26,47 ₽ 24,79 ₽Срок:В наличииНаличие:2 000Минимум:9Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 53+ 106+ 211+ 421+34,80 ₽ 31,39 ₽ 28,69 ₽ 26,47 ₽ 24,79 ₽Срок:В наличииНаличие:100Минимум:2Количество в заказ
Внешние склады
-
418+ 606+ 1212+19,84 ₽ 17,11 ₽ 16,68 ₽Срок:25 днейНаличие:6 000Минимум:Мин: 418Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MMBFJ176
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | p-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 30 |
| Ток утечки (Idss), мА | 2…25 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…4 |
| при Id, нА | 10 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 250(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MMBFJ176 , Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара