MMBFJ176, Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
JFET P-CH 30V 225mW SOT23
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MMBFJ176
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT23-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.03 г.
-
Напряжение Сток-Исток Макс
-
Проводимость (N/P)
-
Напряжение отсечки (при токе)
-
Мощность Макс.
Описание MMBFJ176
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Структура | p-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 30 |
| Ток утечки (Idss), мА | 2…25 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 15 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…4 |
| при Id, нА | 10 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 250(max) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.225 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара