MUN5211DW1T1G, Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
Наименование:
MUN5211DW1T1G
Производитель:
Описание Eng:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT363-6
Тип транзистора:
2 NPN
Напряжение КЭ Макс.:
50 В
Мощность Макс.:
250 мВт
Сопротивление резистора базы R1:
10 кОм
Сопротивление резистора Э-База R2:
10 кОм
Цена от:
2,46 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 1609+ 3000+ 9000+ 15000+4,38 ₽ 3,66 ₽ 3,06 ₽ 2,70 ₽ 2,46 ₽Срок:В наличииНаличие:30 504Минимум:69Количество в заказ
-
1+ 1609+ 3000+ 9000+ 15000+4,38 ₽ 3,66 ₽ 3,06 ₽ 2,70 ₽ 2,46 ₽Срок:В наличииНаличие:15 000Минимум:69Количество в заказ
Внешние склады
-
251+ 1973+3,00 ₽ 2,88 ₽Срок:5 днейНаличие:1 973Минимум:Мин: 251Количество в заказ
-
286+ 2000+4,20 ₽ 4,02 ₽Срок:7 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 286Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание MUN5211DW1T1G
Dual Resistor Dual Digital Transistors, ON Semiconductor
| Структура | 2 X npn с 2 резисторами |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,1 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,25 |
| Корпус | SOT-363 |
| Вес, г | 0.04 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка MUN5211DW1T1G , Цифровые биполярные транзисторы NPN+NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+10 кОм
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 329 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара