8 800 1000 321 - контакт центр

NTJD5121NT1G, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А

  • NTJD5121NT1G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.295 А

Документация

DataSheet
Код товара: 224492
Дата обновления: 19.12.2018 00:00
Цена за 1шт: 5.96 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 1 823 шт: 2.890 руб.
от 912 шт: 3.220 руб.
от 456 шт: 3.890 руб.
от 228 шт: 4.890 руб.
от 1 шт: 5.960 руб.
1 180 штНа складе1 шт.34 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 9 000 шт: 2.093 руб.
33 000 шт.10 раб. дн.3 000 шт.9 000 шт.
от 12 000 шт: 1.910 руб.
от 6 000 шт: 1.959 руб.
15 000 шт.15 раб. дн.3 000 шт.6 000 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOT-363
Нормоупаковка
3000 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Вес нетто
0.07 г
Тип транзистора
2N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Маскимальный ток стока
295 мА
Сопротивление открытого канала
1.6 Ом
Пороговое напряжение включения макс.
2.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность
250 мВт
Заряд затвора
0.9 нКл
Входная емкость
26 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
49180 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке