8 800 1000 321 - контакт центр

NTMD4N03R2G, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А

  • NTMD4N03R2G

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4 А

Документация

DataSheet
Код товара: 224509
Дата обновления: 15.08.2018 03:30
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 2 500 шт: 11.273 руб.
10 000 шт.15 дн.2 500 шт.2 500 шт.
от 2 500 шт: 14.685 руб.
2 500 шт.15 дн.2 500 шт.2 500 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SOIC-8
Нормоупаковка
2500 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
2N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Маскимальный ток стока
4 А
Сопротивление открытого канала
60 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
3 В
Максимальная рассеиваемая мощность
2 Вт
Заряд затвора
16 нКл
Входная емкость
400 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
12500 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке