NVMFD5873NLT1G, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 10 А
Наименование:
NVMFD5873NLT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
В упаковке:
1500 шт
Корпус:
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
60 В
Ток стока макс.:
10 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
212,63 ₽
Нет в наличии
Технические параметры
Описание NVMFD5873NLT1G
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 10 А
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Разрешительная документация
Товар не подлежит обязательной сертификации и декларированию.
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMFD5873NLT1G , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 10 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 246 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2388 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 320 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара