SI1965DH-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 1.3 А

Код товара: 232175

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI1965DH-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-363 (SC-88)
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
12 В
Ток стока макс.:
1.3 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.25 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2P-канальный

Напряжение сток-исток макс.

12 В

Ток стока макс.

1.3 А

Максимальная рассеиваемая мощность

1.25 Вт

Корпус

SOT-363 (SC-88)

Вес брутто

0.16 г.

Описание SI1965DH-T1-GE3

Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 1.3 А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI1965DH-T1-GE3 , Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 12 В, 1.3 А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.