SI3590DV-T1-E3, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2.5 А

Код товара: 232257

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI3590DV-T1-E3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
6-TSOP
Тип транзистора:
N/P-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
2.5 А, 1.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 мВт

Технические параметры

Тип транзистора

N/P-канальный

Напряжение сток-исток макс.

30 В

Ток стока макс.

2.5 А, 1.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность

830 мВт

Корпус

6-TSOP

Вес брутто

0.026 г.

Описание SI3590DV-T1-E3

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2.5 А

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

NTGD4167CT1G Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, P-канальный, 30 В, 2.6/1.9А 0.9Вт Производитель: ON Semiconductor
Наличие:
344 шт

Под заказ:
47 шт
Цена от:
от 14,51

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI3590DV-T1-E3 , Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 2.5 А в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.