8 800 1000 321 - контакт центр

SI5513CDC-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А

  • SI5513CDC-T1-GE3 - 1206-8 ChipFET[тм]

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
Vishay

Описание

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 4 А

Документация

DataSheet
Код товара: 232408
Дата обновления: 20.09.2018 01:00
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 3 000 шт: 16.396 руб.
3 000 шт.10 дн.3 000 шт.3 000 шт.
от 3 000 шт: 22.460 руб.
3 000 шт.28 дн.3 000 шт.3 000 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
1206-8 ChipFET[тм]
Нормоупаковка
3000 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
N/P-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Маскимальный ток стока
4 А, 3.7 А
Сопротивление открытого канала
55 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
1.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность
3.1 Вт
Заряд затвора
4.2 нКл
Входная емкость
285 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
6000 шт.

Рекомендуемые аналоги

Название Производитель Корпус Со склада Под заказ
Цена руб. от Количество Цена руб. от Количество
SI5513CDC-T1-E3
VISHAY1206-8 ChipFET[тм]0.00015.803000

Поделиться:
сообщение об ошибке