SI5935CDC-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SI5935CDC-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
ChipFET8
Тип транзистора:
2P-канальный
Особенности:
стандартный
Напряжение сток-исток макс.:
20 В
Ток стока макс.:
4 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
3.1 Вт
Цена от:
13 946,16 руб.
Внешние склады
-
2+ 7+ 2000+14 574,36 ₽ 14 197,44 ₽ 13 946,16 ₽Срок:26 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 2Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание SI5935CDC-T1-GE3
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Калининград
Доставка SI5935CDC-T1-GE3 , Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4 А
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 329 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 12 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара