SI7190DP-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 18.4A

Код товара: 232448

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SI7190DP-T1-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
18.4A
Сопротивление открытого канала:
118 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

250В

Ток стока макс.

18.4A

Сопротивление открытого канала

118 мОм

Мощность макс.

96Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

72нКл

Входная емкость

2214пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

PowerPAKВ® SO-8

Описание SI7190DP-T1-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 18.4A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SI7190DP-T1-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 18.4A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 627
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.