SIHB33N60E-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 33A

Код товара: 232611

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
SIHB33N60E-GE3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
Тип упаковки:
Bulk (россыпь)
Нормоупаковка:
1 шт
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
278Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

600В

Ток стока макс.

33A

Сопротивление открытого канала

99 мОм

Мощность макс.

278Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

150нКл

Входная емкость

3508пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DBІPAK

Описание SIHB33N60E-GE3

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 33A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка SIHB33N60E-GE3 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 33A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.