SPW32N50C3FKSA1, Транзистор полевой N-канальный 560В 32A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
Транзистор полевой N-канальный 560В 32A
Транзистор полевой N-канальный 560В 32A
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
SPW32N50C3FKSA1
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-247
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка30 шт
-
Вес брутто8.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SPW32N50C3FKSA1
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 32 A |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Максимальное рассеяние мощности | 284 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 5.21мм |
| Высота | 21.1мм |
| Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 16.13мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 20 нс |
| Производитель | Infineon |
| Типичное время задержки выключения | 100 нс |
| Серия | CoolMOS C3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 110 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 560 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 170 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 4200 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 7.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара