STH150N10F7-2, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 90 А
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STH150N10F7-2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
1000 шт
Корпус:
HВІPAK
Цена от:
250,98 руб.
Нет в наличии
Описание STH150N10F7-2
| Упаковка / блок | H2PAK-2 |
|---|---|
| Серия | STH150N10F7-2 |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 57 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 117 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 72 ns |
| Типичное время задержки при включении | 33 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STH150N10F7-2 , Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 90 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 335 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1627 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 807 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 476 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара