TK15J50D(F), Транзистор полевой N-канальный 500В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Trans MOSFET N-CH Si 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Транзистор полевой N-канальный 500В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Транзистор полевой N-канальный 500В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK15J50D(F)
Описание TK15J50D(F)
The TK15J50D(F) is a 500V Silicon N-channel MOSFET with low drain-source ON resistance. Suitable for use in switching regulator applications.
• High forward transfer admittance
• Low leakage current
• Enhancement mode
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 15 A |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Максимальное рассеяние мощности | 210 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.8мм |
| Высота | 19мм |
| Размеры | 15.9 x 4.8 x 19мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 40.5мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 80 нс |
| Производитель | Toshiba |
| Типичное время задержки выключения | 110 нс |
| Серия | TK |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 400 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| Число контактов | 3 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 38 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1800 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 4.6 |
Сообщите мне о поступлении товара