2N5551-Y, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.6 Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
NPN 180V, 0.6A, 0.6W, >100MHz
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.6 Вт
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А, 0.6 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
2N5551-Y
Документы:
Описание 2N5551-Y
Характеристики
| Структура | npn |
|---|---|
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 180 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 160 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.6 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
| Корпус | to92 |
Полные аналоги
-
2N5551G TRANS NPN 160V 0.6A TO-92ONSTO92-3
-
2N5551BU TRANS NPN 160V 0.6A TO-92ONSTO92-3
-
2N5551TA Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 AmmoONSTO-92_formed_leads
-
2N5551 Bipolar transistor, NPN, 180 V, 0.6 A, 0.6 WDIOTECTO92/formed lead
-
2N5551-YBU NPN 180V, 0.6A, 0.6W, >100MHzONSTO-92
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара