M50100TB1200, Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 480В 100А 2.5кВ

Код товара: 317267

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
M50100TB1200
Производитель:
Описание Eng:
MODULE POWER 100A 1200V 3PH BRDG
Нормоупаковка:
3 шт.
Корпус:
Module
Тип моста:
Three Phase
Ток:
100A
Обратное напряжение:
1200V

Технические параметры

Тип моста

Three Phase

Ток

100A

Обратное напряжение

1200V

Описание M50100TB1200

Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 480В 100А 2.5кВ

Документы и сертификаты

Документация

Способы доставки в Калининград

Доставка M50100TB1200 , Дискретный полупроводниковый модуль (Diode Module) 480В 100А 2.5кВ в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.