LQW2BHN3N3D03L, Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 910мА 50мОм по постоянному току
3.3nH 910mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 3.3nH 0.5nH 100MHz 10Q-Factor Ceramic 910mA 50mOhm DCR 0805 T/
Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 910мА 50мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 910мА 50мОм по постоянному току
Производитель:
Murata Electronics
Артикул:
LQW2BHN3N3D03L
Документы:
Описание LQW2BHN3N3D03L
Проволочная SMD индуктивность 3,3нГн ±0,5нГн 910мА 50мОм по постоянному току
Сообщите мне о поступлении товара