LQW2BASR82J00L, Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току
820nH 180mA
Inductor RF Chip Unshielded Wirewound 820nH 5% 25MHz 23Q-Factor Ceramic 180mA 2.35Ohm DCR 0805 T/R
Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 820нГн ±5% 180мА 2.35Ом по постоянному току
Производитель:
Murata Electronics
Артикул:
LQW2BASR82J00L
Документы:
Сообщите мне о поступлении товара