IRF3808STRLPBF, транзистор полевой n-канал 75в/106а/200вт/0.007 ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом
Транзистор полевой N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом
Транзистор полевой N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF3808STRLPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусD2Pak (TO-263)
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка800 шт
-
Вес брутто1.35 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRF3808STRLPBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 75 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 106 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.007 ом при 82a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Крутизна характеристики, S | 100 |
| Корпус | d2pak |
| Вес, г | 2.5 |
Полные аналоги
-
IRF3808SPBF MOSFET N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 ОмINFD2Pak (TO-263)
-
IRF3808STRRPBF MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/RINFD2Pak (TO-263)
Сообщите мне о поступлении товара