BFU550AR, Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
NPN-HF 12V 50mA 450mW 11GHz SOT23
Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц
Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BFU550AR
Документы:
Описание BFU550AR
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 24 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,05 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 11000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,45 |
| Корпус | sot-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 12в |
| Рассеиваемая Мощность | 450мВт |
| Полярность Транзистора | npn |
| DC Ток Коллектора | 50мА |
| Корпус РЧ Транзистора | sot-23 |
| DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
| Частота Перехода ft | 11ГГц |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара