IPD60R2K1CEBTMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-252-3

Код товара: 342371

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IPD60R2K1CEBTMA1
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Нормоупаковка:
1 шт
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
2.1 Ом
Мощность макс.:
22Вт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

600В

Ток стока макс.

2.3A

Сопротивление открытого канала

2.1 Ом

Мощность макс.

22Вт

Тип транзистора

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.

±20В

Заряд затвора

6.7нКл

Входная емкость

140пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Описание IPD60R2K1CEBTMA1

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-252-3

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IPD60R2K1CEBTMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-252-3 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 162
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.