IPD122N10N3GATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IPD122N10N3GATMA1
Производитель:
Описание Eng:
N-Channel 100 V 12.2 mOhm 26 nC OptiMOSв„ў Power Mosfet - DPAK
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Сопротивление открытого канала:
12.2мОм
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
силовой
Тип монтажа:
Surface Mount
Цена от:
61,51 руб.
Оптовый склад «Промэлектроника»
-
1+ 19+ 37+ 74+ 147+110,24 ₽ 101,46 ₽ 94,50 ₽ 88,81 ₽ 84,58 ₽Срок:В наличииНаличие:190Минимум:3Количество в заказ
Магазин «Радиодетали». Екатеринбург, ул. Колмогорова, д. 70
-
1+ 19+ 37+ 74+ 147+110,24 ₽ 101,46 ₽ 94,50 ₽ 88,81 ₽ 84,58 ₽Срок:В наличииНаличие:31Минимум:1Количество в заказ
Внешние склады
-
13+ 57+ 114+ 227+ 2250+99,77 ₽ 95,02 ₽ 93,44 ₽ 87,89 ₽ 86,31 ₽Срок:7 днейНаличие:2 250Минимум:Мин: 13Количество в заказ
-
115+ 166+ 331+ 1655+75,12 ₽ 64,78 ₽ 63,15 ₽ 61,51 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 115Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание IPD122N10N3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IPD122N10N3GATMA1 , Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 234 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 341 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара