IRFR5305TRLPBF, Транзистор полевой P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Транзистор полевой P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Транзистор полевой P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRFR5305TRLPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусDPAK/TO-252AA
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.57 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание IRFR5305TRLPBF
The IRFR5305TRLPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 66 ns |
| Время спада | 63 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес, г | 0.4 |
Полные аналоги
-
IRFR5305TRPBF MOSFET P-CH 55V 31A DPAKНаличие:53025 штМинимум:штЦена от:48,40 ₽INFDPAK/TO-252AA
-
SK35P06 MOSFET P-CH 55V 31A DPAKНаличие:29982 штМинимум:штЦена от:19,30 ₽SHIKUESDPAK/TO-252AA
-
IRFR5305PBF MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK TubeINFDPAK/TO-252AA
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара