IRFR5305TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецТехнические параметры
Описание IRFR5305TRLPBF
The IRFR5305TRLPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
| Id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Qg - заряд затвора | 42 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 66 ns |
| Время спада | 63 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес, г | 0.4 |