IRL6372TRPBF, MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC

Код товара: 343940

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRL6372TRPBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
4000 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2 N-Channel (Dual)
Особенности:
Logic Level Gate
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
8.1A
Максимальная рассеиваемая мощность:
2W

Технические параметры

Тип транзистора

2 N-Channel (Dual)

Особенности

Logic Level Gate

Напряжение сток-исток макс.

30V

Ток стока макс.

8.1A

Максимальная рассеиваемая мощность

2W

Вес брутто

0.2 г.

Описание IRL6372TRPBF

SOIC 8/DUAL MOSFET, 30V, 8.1A, 18MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14 мОм

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0179 ом при 8.1a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S30
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе0.5…1.1
Вес, г0.15

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRL6372TRPBF , MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.