IRL6372TRPBF, MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRL6372TRPBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка4000 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRL6372TRPBF
SOIC 8/DUAL MOSFET, 30V, 8.1A, 18MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14 мОм
| Структура | 2n-канала |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0179 ом при 8.1a, 4.5в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 30 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.1 |
| Вес, г | 0.15 |
Полные аналоги
-
IRL6372PBF MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/RINFSO-8
Сообщите мне о поступлении товара