CIG22L1R5MNE, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 1.5мкГн ±20% 1МГц феррит 1.5A 70мОм 1008 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.5uH 20% 1MHz Ferrite 1.5A 70mOhm DCR 1008 T/R
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 1.5мкГн ±20% 1МГц феррит 1.5A 70мОм 1008 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 1.5мкГн ±20% 1МГц феррит 1.5A 70мОм 1008 лента на катушке
Производитель:
Samsung Semiconductor
Артикул:
CIG22L1R5MNE
Технические параметры
-
Нормоупаковка3000 шт.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара