CIG22H2R2MNE, ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 1МГц феррит 1.2A 116мОм 1008 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.2A 116mOhm DCR 1008 T/R
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 1МГц феррит 1.2A 116мОм 1008 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 1МГц феррит 1.2A 116мОм 1008 лента на катушке
Производитель:
Samsung Semiconductor
Артикул:
CIG22H2R2MNE
Технические параметры
-
Нормоупаковка2500 шт.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара