CIG21L2R2MNE, чип-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкгн ±20% 1мгц феррит 950ма 160мом 0805 лента на катушке
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 950mA 160mOhm DCR 0805 T/R
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 1МГц феррит 950мА 160мОм 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 1МГц феррит 950мА 160мОм 0805 лента на катушке
Производитель:
Samsung Semiconductor
Артикул:
CIG21L2R2MNE
Технические параметры
-
Нормоупаковка3000 шт.
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара