FDB12N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK

Код товара: 358352

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDB12N50TM
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Нормоупаковка:
800 шт
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

500В

Ток стока макс.

11.5А

Тип транзистора

N-канальный

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

DBІPAK

Вес брутто

2.047 г.

Описание FDB12N50TM

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока11.5 A
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Максимальное рассеяние мощности165 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина9.65мм
Высота4.83мм
Размеры10.67 x 9.65 x 4.83мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС1
Длина10.67мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Типичное время задержки включения25 ns
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения45 ns
СерияUniFET
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Максимальное сопротивление сток-исток650 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток500 V
Число контактов3
Типичный заряд затвора при Vgs22 nC @ 10 V
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds985 пФ при 25 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
Вес, г2.5

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDB12N50TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
от 1 раб. дня
от 136
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.