FDB12N50TM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK
Цена от:
55,97 руб.
Внешние склады
-
129+ 186+ 372+ 1859+68,35 ₽ 58,94 ₽ 57,46 ₽ 55,97 ₽Срок:25 днейНаличие:1 953Минимум:Мин: 129Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FDB12N50TM
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11.5 A |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Максимальное рассеяние мощности | 165 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 9.65мм |
| Высота | 4.83мм |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 25 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 650 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 V |
| Число контактов | 3 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 985 пФ при 25 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDB12N50TM , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2146 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
от 1 раб. дня
от 136 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара