IRF530A, MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Нормоупаковка50 шт.
-
Вес брутто3.5 г.
Описание IRF530A
IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и улучшенным параметром заряда затвора.
• Увеличенная зона безопасной работы
• Уменьшенный ток утечки (10А при VDS = 100В)
• Уменьшенное сопротивление в активном состоянии Rds (on) (типичное значение 0.092Ом)
• Напряжение затвор - источник ±20В
• Тепловое сопротивление 62.5°C/Вт, переход к окружающей среде
• Тепловое сопротивление переход-корпус 2.74°C/Вт
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.11 ом при 7a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 55 |
| Корпус | to220ab |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара